PSMN4R6-60BS,118 与 IPB037N06N3 G 区别
| 型号 | PSMN4R6-60BS,118 | IPB037N06N3 G | ||||
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| 唯样编号 | A3n-PSMN4R6-60BS,118 | A-IPB037N06N3 G | ||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 211W | 188W | ||||
| 宽度 | - | 9.25mm | ||||
| 上升时间 | - | 70ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 98nC | ||||
| 输出电容 | 567pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 61S | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 40ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-3 | ||||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 90A | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||
| 输入电容 | 4426pF | - | ||||
| 长度 | - | 10mm | ||||
| 下降时间 | - | 5ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 30ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 4.4mΩ@10V | 3.7mΩ@90A,10V | ||||
| 高度 | - | 4.4mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 4.4mΩ@10V 211W 175°C 3V 60V 100A |
¥7.7053
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0 | 当前型号 | ||||||
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AUIRF1405ZSTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.9mΩ@75A,10V N-Channel 55V 150A D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF2805SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 135A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF1405STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.3mΩ@101A,10V N-Channel 55V 131A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPB037N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 90A 3.7mΩ@90A,10V ±20V 188W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF1405SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.3mΩ@101A,10V N-Channel 55V 131A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |